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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥585.141892
10
¥552.020655
100
¥520.774203
500
¥491.296415
1000
¥463.487188
Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1
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- 对比
FF200R12KT4HOSA1
1211-FF200R12KT4HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 320A 7-Pin 62MM
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF200R12KT4HOSA1详情
Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
引脚数
7
Current-Collector (Ic) (Max)
320A
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C TJ
系列
C
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
引脚数量
7
极性
NPN
配置
半桥
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1100W
无卤素
不含卤素
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
680 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 200A
关断时间-标准值(toff)
700 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
14nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FF200R12KT4HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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