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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥768.688936
10
¥725.178244
100
¥684.130419
500
¥645.406053
1000
¥608.873637
Infineon Technologies FS150R12KT4BOSA1
- 收藏
- 对比
FS150R12KT4BOSA1
1211-FS150R12KT4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 1200V 150A 750W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FS150R12KT4BOSA1详情
Infineon Technologies FS150R12KT4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
35
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
35
JESD-30代码
R-XUFM-X35
资历状况
不合格
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
750W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大耗散功率(Abs)
750W
接通时间
165 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 150A
关断时间-标准值(toff)
605 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
VCEsat-最大值
2.1 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
FS150R12KT4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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