Infineon Technologies FSJ260R4

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

FSJ260R4

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

44 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

SQUARE

Package Style

FLANGE MOUNT

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

辐射硬化

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-254AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

44 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

132 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

192 W