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内地含税价

1

￥87.006076
10

￥82.081203
100

￥77.435098
500

￥73.05198
1000

￥68.916962

Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1

Name: IGLD60R190D1AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IGLD60R190D1AUMA1
Price: 87.01 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IGLD60R190D1AUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IGLD60R190D1AUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-LDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8

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IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8

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IGLD60R190D1AUMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-LDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc
Power Dissipation (Max)

62.5W Tc
操作温度

-55°C~150°C TJ
系列

CoolGaN™
零件状态

活跃
场效应管类型

N-Channel
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.6V @ 960μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

157pF @ 400V
漏源电压 (Vdss)

600V
Vgs（最大值）

-10V

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