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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 IGLD60R190D1AUMA1
IGLD60R190D1AUMA1
IGLD60R190D1AUMA1

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Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1

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型号

IGLD60R190D1AUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IGLD60R190D1AUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-LDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8

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IGLD60R190D1AUMA1
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8

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IGLD60R190D1AUMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-LDFN Exposed Pad

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    10A Tc

  • Power Dissipation (Max)

    62.5W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 系列

    CoolGaN™

  • 零件状态

    活跃

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    1.6V @ 960μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    157pF @ 400V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs（最大值）

    -10V

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技术文档: Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1.

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