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1

￥80.44485
10

￥75.891368
100

￥71.59563
500

￥67.543048
1000

￥63.719856

Infineon Technologies IMBG65R057M1HXTMA1

Name: IMBG65R057M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IMBG65R057M1HXTMA1
Price: 80.44 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IMBG65R057M1HXTMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IMBG65R057M1HXTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

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IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

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IMBG65R057M1HXTMA1详情

技术参数

Infineon Technologies IMBG65R057M1HXTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
厂商

Infineon Technologies
Product Status

活跃
Number of Elements per Chip

1
Package Type

TO-263-7
MSL

-
Continuous Drain Current Id

39A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5.7 V
Pd - Power Dissipation

161 W
Transistor Polarity

N-Channel
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage

- 5 V, + 23 V
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000
Mounting Styles

SMD/SMT
Channel Mode

Enhancement
Part # Aliases

IMBG65R057M1H SP005539175
Manufacturer

Infineon
Brand

Infineon Technologies
Qg - Gate Charge

28 nC
Rds On - Drain-Source Resistance

74 mOhms
RoHS

Details
Id - Continuous Drain Current

39 A
系列

*
包装

MouseReel
子类别

MOSFETs
技术

SiC
引脚数量

7
通道数量

1 Channel
功率耗散

161W
产品类别

MOSFET
信道型

N
产品

MOSFET
产品类别

MOSFET

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