Infineon Technologies IPA50R650CEXKSA2

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

27.2W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 1.8A, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 150μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

342pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

雪崩能量等级（Eas）

102 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅