Infineon Technologies IPA65R280C6XKSA1
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IPA65R280C6XKSA1
1211-IPA65R280C6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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立即发货

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
--最小包装量--
IPA65R280C6XKSA1详情
Infineon Technologies IPA65R280C6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220 Full Pack
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 440μA
Turn Off Delay Time
105 ns
Power Dissipation (Max)
32W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2008
系列
CoolMOS™
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
32W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
13.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
700V
输入电容
950pF
漏源电阻
280mOhm
最大rds
280 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
IPA65R280C6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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