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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.682884
10
¥10.078193
100
¥9.507729
500
¥8.969555
1000
¥8.461846
Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1
- 收藏
- 对比
IPA80R1K4P7XKSA1
1211-IPA80R1K4P7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 800V 4A TO220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA80R1K4P7XKSA1详情
Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 700μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
24W Tc
已出版
2003
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 1.4A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
250pF @ 500V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
4A
场效应管特性
超级交界处
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPA80R1K4P7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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