Infineon Technologies IPAW60R600CEXKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

28W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 200μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

系列

CoolMOS™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 2.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

444pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.3A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管特性

超级交界处

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant