Infineon Technologies IPB024N08N5ATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

214W Tc

Turn Off Delay Time

46 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 154μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8970pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

123nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

80V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

374 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅