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内地含税价

1

￥7.001949
10

￥6.605617
100

￥6.231708
500

￥5.878972
1000

￥5.546202

Infineon Technologies IPB04N03LAT

Name: IPB04N03LAT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB04N03LAT
Price: 7 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB04N03LAT

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB04N03LAT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

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IPB04N03LAT Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

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Infineon Technologies IPB04N03LAT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V
Power Dissipation (Max)

107W Tc
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

OptiMOS™
已出版

2003
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

25V
额定电流

80A
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

3.9mOhm @ 55A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 60μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3877pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 5V
上升时间

4.5ns
漏源电压 (Vdss)

25V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

80A
输入电容

3.877nF
最大rds

3.9 mΩ
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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IPB04N03LAT拓展信息

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