Infineon Technologies IPB100N04S2L03ATMA2

工厂交货时间

31 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

77 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230nC @ 10V

上升时间

51ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅