Infineon Technologies IPB45P03P4L11ATMA1

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

58W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 85μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

58W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.8m Ω @ 45A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

+5V, -16V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

-45A

栅极至源极电压(Vgs)

5V

最大双电源电压

-30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0111Ohm

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

高度

4.4mm

长度

10mm

宽度

9.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅