Infineon Technologies IPB47N10SL-26

工厂交货时间

1 Week

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPB47N10SL-26

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

D2PAK

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.17

Drain Current-Max (ID)

47 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

175W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

26mOhm @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

135 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

47 A

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

175 W

场效应管特性

-