Infineon Technologies IPB80N04S2H4ATMA2

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-263-3

表面安装

YES

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

46 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

300W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

无卤素

无卤素

上升时间

63ns

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏源击穿电压

40V

输入电容

4.4nF

雪崩能量等级（Eas）

660 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

3.7 mΩ

RoHS状态

ROHS3 Compliant