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内地含税价

1

￥11.321961
10

￥10.681098
100

￥10.076502
500

￥9.506135
1000

￥8.968053

Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1

Name: IPB80N06S207ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB80N06S207ATMA1
Price: 11.32 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB80N06S207ATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB80N06S207ATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263

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IPB80N06S207ATMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263

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IPB80N06S207ATMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

250W Tc
Turn Off Delay Time

61 ns
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

OptiMOS™
已出版

2010
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3m Ω @ 68A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 180μA
无卤素

无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V
上升时间

37ns
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

36 ns
连续放电电流(ID)

80A
最大双电源电压

55V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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IPB80N06S207ATMA1拓展信息

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