Infineon Technologies IPD060N03LGBTMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

56W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2010

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2300pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.009Ohm

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant