Infineon Technologies IPD12CN10NGATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

67A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

附加功能

快速切换

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.4m Ω @ 67A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 83μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4320pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

67A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.0124Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

268A

雪崩能量等级（Eas）

154 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅