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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.27849
10
¥3.092915
100
¥2.917844
500
¥2.752683
1000
¥2.596871
Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA2
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- 对比
IPD14N06S280ATMA2
1211-IPD14N06S280ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD14N06S280ATMA2详情
Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
47W Tc
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
47W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 14μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
293pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
17ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
17A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
漏源击穿电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68A
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
2.5mm
长度
6.5mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPD14N06S280ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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