Infineon Technologies IPD30N08S2L21ATMA1

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Turn Off Delay Time

44 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 80μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

136W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20.5m Ω @ 25A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

75V

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

高度

2.41mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅