Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

58W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 85μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

+5V, -16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.0105Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant