Infineon Technologies IPD60R450E6ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

74W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ E6

已出版

2015

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 280μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

620pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

9.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准