Infineon Technologies IPD65R250C6XTMA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

100 ns

Power Dissipation (Max)

208.3W Tc

Number of Elements

1

已出版

2008

系列

CoolMOS™

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 4.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 400μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

16.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

漏源击穿电压

700V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

46A

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅