Infineon Technologies IPD65R600E6ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

63W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ E6

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

63W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 210μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

7.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

700V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

雪崩能量等级（Eas）

142 mJ

高度

2.41mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant