Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

86W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 0.21mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

漏源击穿电压

650V

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

符合RoHS标准