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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.107574
10
¥13.309036
100
¥12.555688
500
¥11.844995
1000
¥11.174521
Infineon Technologies IPD90N06S4L06ATMA2
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- 对比
IPD90N06S4L06ATMA2
1211-IPD90N06S4L06ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD90N06S4L06ATMA2详情
Infineon Technologies IPD90N06S4L06ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
79W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.3m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 40μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5680pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75nC @ 10V
上升时间
3ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
60V
雪崩能量等级(Eas)
67 mJ
高度
2.41mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD90N06S4L06ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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