Infineon Technologies IPI020N06NAKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Ta 120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 214W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

214W

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 143μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7800pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

106nC @ 10V

上升时间

45ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

29A

漏极-源极导通最大电阻

0.002Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

420 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅