Infineon Technologies IPI024N06N3GXKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

79 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 196μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23000pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

275nC @ 10V

上升时间

80ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

高度

9.25mm

长度

10mm

宽度

4.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅