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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.880364
10
¥15.924871
100
¥15.023463
500
¥14.173078
1000
¥13.370832
Infineon Technologies IPI45N06S409AKSA2
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- 对比
IPI45N06S409AKSA2
1211-IPI45N06S409AKSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
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MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPI45N06S409AKSA2详情
Infineon Technologies IPI45N06S409AKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
质量
2.387001g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
71W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.4m Ω @ 45A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 34μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3785pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
上升时间
40ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
45A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.0094Ohm
雪崩能量等级(Eas)
97 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPI45N06S409AKSA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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