Infineon Technologies IPI45N06S4L08AKSA3

底架

通孔

包装/外壳

TO-262-3

引脚数

3

Turn Off Delay Time

45 ns

Number of Elements

1

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

71W

端子位置

SINGLE

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

无卤素

无卤素

上升时间

2ns

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

45A

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0082Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

输入电容

4.78nF

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

8.2 mΩ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅