Infineon Technologies IPI47N10S33AKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

175W Tc

Turn Off Delay Time

63 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2mA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

105nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

47A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅