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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥35.103358
10
¥33.116373
100
¥31.241865
500
¥29.473459
1000
¥27.805145
Infineon Technologies IPI50R140CP
- 收藏
- 对比
IPI50R140CP
1211-IPI50R140CP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPI50R140CP详情
Infineon Technologies IPI50R140CP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
Turn Off Delay Time
80 ns
Power Dissipation (Max)
192W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23A Tc
已出版
2007
系列
CoolMOS™
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
通孔
元素配置
Single
功率耗散
192W
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 930μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2540pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
23A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
500V
漏源击穿电压
500V
双电源电压
550V
栅源电压
3 V
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
IPI50R140CP拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










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