Infineon Technologies IPI60R190C6XKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

151W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 630μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A Tc

系列

CoolMOS™

已出版

2008

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 9.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.19Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

59A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

418 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant