Infineon Technologies IPI65R110CFDXKSA1
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IPI65R110CFDXKSA1
1211-IPI65R110CFDXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
1最小包装量--
IPI65R110CFDXKSA1详情
Infineon Technologies IPI65R110CFDXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO262-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
31.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
277.8W Tc
Turn Off Delay Time
68 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3240pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
118nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
31.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
3.24nF
漏源电阻
110mOhm
最大rds
110 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPI65R110CFDXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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