Infineon Technologies IPI80N04S204AKSA1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2006

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

45ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

高度

9.25mm

长度

10mm

宽度

4.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant