Infineon Technologies IPI80N06S3L-05

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

165W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

55V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

165W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8m Ω @ 69A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 115μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13060pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

273nC @ 10V

上升时间

49ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

41 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

雪崩能量等级（Eas）

345 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅