Infineon Technologies IPI90R800C3XKSA1

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

104W Tc

Turn Off Delay Time

400 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 460μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 4.1A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

6.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

900V

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15A

雪崩能量等级（Eas）

157 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅