Infineon Technologies IPP076N15N5AKSA1
- 收藏
- 对比
IPP076N15N5AKSA1
1211-IPP076N15N5AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

MV POWER MOS
--最小包装量--
IPP076N15N5AKSA1详情
Infineon Technologies IPP076N15N5AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
通孔
表面安装
NO
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
20 ns
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
214W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
150V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
112A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
448A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
175°C
漏源电阻
5.9mOhm
高度
20.7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPP076N15N5AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。