IPP076N15N5AKSA1
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Infineon Technologies IPP076N15N5AKSA1

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型号

IPP076N15N5AKSA1

utmel 编号

1211-IPP076N15N5AKSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MV POWER MOS

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IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies MV POWER MOS

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IPP076N15N5AKSA1详情

Infineon Technologies IPP076N15N5AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    214W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    112A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    150V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    448A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    175°C

  • 漏源电阻

    5.9mOhm

  • 高度

    20.7mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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