Infineon Technologies IPP230N06L3 G

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

36W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 11μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准