Infineon Technologies IPP50R299CPHKSA1
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IPP50R299CPHKSA1
1211-IPP50R299CPHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
1最小包装量--
IPP50R299CPHKSA1详情
Infineon Technologies IPP50R299CPHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
104W Tc
Turn Off Delay Time
80 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
104W
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 440μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1190pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
550V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
1.19nF
最大rds
299 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPP50R299CPHKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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