Infineon Technologies IPP65R380C6XKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 320μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.2A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

10.6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

700V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29A

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准