Infineon Technologies IPP80N04S2H4AKSA2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

148nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

660 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准