Infineon Technologies IPP90R500C3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

400 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 6.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 740μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

漏源击穿电压

900V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

双电源电压

900V

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅