Infineon Technologies IPS031N03LGAKMA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-251-3

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

34 ns

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

94W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

94W

接通延迟时间

9 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

90A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

输入电容

4nF

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

3.1mOhm

最大rds

3.1 mΩ

高度

6.22mm

长度

6.73mm

宽度

2.39mm

RoHS状态

符合RoHS标准