Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 83μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 75A, 10V

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4310pF @ 60V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

75A

最大双电源电压

120V

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅