Infineon Technologies IPW60R075CPFKSA1

工厂交货时间

52 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

39A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 1.7mA

Turn Off Delay Time

110 ns

Power Dissipation (Max)

313W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2008

系列

CoolMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

313W

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 26A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4000pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

116nC @ 10V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

39A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅