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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥43.365619
10
¥40.910962
100
¥38.595247
500
¥36.41061
1000
¥34.349632
Infineon Technologies IPW65R150CFDAFKSA1
- 收藏
- 对比
IPW65R150CFDAFKSA1
1211-IPW65R150CFDAFKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V TO247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPW65R150CFDAFKSA1详情
Infineon Technologies IPW65R150CFDAFKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
195.3W Tc
Turn Off Delay Time
52.8 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
12.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 9.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 900μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2340pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
22.4A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大双电源电压
650V
漏极-源极导通最大电阻
0.15Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72A
雪崩能量等级(Eas)
614 mJ
高度
21.1mm
长度
16.03mm
宽度
5.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPW65R150CFDAFKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies








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