Infineon Technologies IR2011STR
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IR2011STR
1211-IR2011STR
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
--最小包装量--
IR2011STR详情
Infineon Technologies IR2011STR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
High-Side or Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.7V 2.2V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IR2011S
输出的数量
2
资历状况
不合格
最大输出电流
1A
输入类型
Inverting
上升/下降时间(Typ)
35ns 20ns
接口IC类型
基于半桥的mosfet驱动器
信道型
Independent
输出峰值电流限制-名
1A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 1A
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
200V
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
IR2011STR拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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